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cmos与非门电路分析

归档日期:07-02       文本归类:非门      文章编辑:爱尚语录

  cmos与非门电路中,串联的nmos管中,只有最底下那个T1源极接地,从而可以直接通过栅极电位得出Vgs电压降,判断mos管状态。但其余串联的nmos管(如图中T2)的源极电压随T1的状态而改变...

  cmos与非门电路中,串联的nmos管中,只有最底下那个T1源极接地,从而可以直接通过栅极电位得出Vgs电压降,判断mos管状态。但其余串联的nmos管(如图中T2)的源极电压随T1的状态而改变(起码不是常数0),那教科书上是如何一眼就确定T2状态的呢(其判断方法貌似和T1的判断方法通用)?

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  而下面的两个,T1先导通,导通后,T2的S极接地,T2也满足了饱和导通的条件,所以也跟着导通,所以F的电位就相当于接地,所以是0V。

  PS:数字电路的晶体管状态非常好判断,晶体管基本上都工作在开关状态。如果是放大状态的话,管子要消耗压降,再加上电流,很容易热起来。追问谢谢你这么详细的回答,但我还是有些疑问,是关于T2的状态,即其Vgs。

  B=1时,T1导通,则T2源极近似接地。此时若A=0,T2截止;若A=1,T2也导通。

  但B=0时,T1截止,T2的源极不近似接地了,其状态就难以判断了。书上都没分析这时T2的状态,是因为此时T2的状态是无关紧要的(T1已断开)?还是有什么其它快速判别方法?

  B=0时,T1截止,此时F已经输出高电平,T2的状态已经无关紧要了。不会影响结果。

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